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A sub-1 v nanopower temperature-compensated sub-threshold CMOS voltage reference with 0.065%/V line sensitivity

机译:低于1v的纳瓦级温度补偿的亚阈值CMOS电压基准,线路灵敏度为0.065%/ V

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摘要

We present the design of a nanopower sub-threshold CMOS voltage reference and the measurements performed over a set of more than 70 samples fabricated in 0.18 μm CMOS technology. The circuit provides a temperature-compensated reference voltage of 259 mV with an extremely low line sensitivity of only 0.065% at the price of a less effective temperature compensation. The voltage reference properly works with a supply voltage down to 0.6 V and with a power dissipation of only 22.3 nW. Very similar performance has been obtained with and without the inclusion of the start-up circuit.
机译:我们介绍了纳功率亚阈值CMOS电压基准的设计,以及在以0.18μmCMOS技术制造的70多个样品的集合上进行的测量。该电路提供了259 mV的温度补偿参考电压,且具有仅0.065%的极低的线灵敏度,但其温度补偿效果较差。基准电压源可在低至0.6 V的电源电压下正常工作,功耗仅为22.3 nW。无论是否包含启动电路,都可以获得非常相似的性能。

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